Görsel mevcut değil
2SB1215T-H
2SB1215T-H Hakkında
2SB1215T-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 3A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç yayma kapasitesi ve 130MHz transition frequency özellikleriyle, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 200 minimum DC akım kazancı ile stabil anahtarlama performansı sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V