Görsel mevcut değil
2SB1215T-E
2SB1215T-E Hakkında
2SB1215T-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V kolektör-emiter gerilim yeteneğine sahiptir. 130MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değerindedir. Maksimum 1W güç tüketebilen bu bileşen, 150°C çalışma sıcaklığına dayanır. Şu anda üretim dışı olmuştur. Sabit durum (saturation) voltajı 500mV'tir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir transistördür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V