Görsel mevcut değil
2SB1215S-TL-H
2SB1215S-TL-H Hakkında
2SB1215S-TL-H, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) pakette gelen bu transistör, maksimum 100V kolektör-emitter gerilimi ile 3A kolektör akımına kadar çalışabilir. 1W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Minimum 140 hFE (500mA, 5V'de) DC akım kazancı ve 130MHz geçiş frekansı sunar. 500mV doyum gerilimi (150mA baz akımında) ile hassas anahtarlama uygulamalarına uygundur. Geniş sıcaklık aralığında (150°C'ye kadar) çalışabilir. Genel amaçlı anahtarlama, ses amplifikasyonu ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V