Görsel mevcut değil
2SB1215S-H
2SB1215S-H Hakkında
2SB1215S-H, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. 100V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 3A maksimum kolektor akımı kapasitesiyle orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 1W maksimum güç dağıtımı ve 130MHz transition frekansı ile ses frekansı ve düşük frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında çalışabilir. 500mV saturasyon gerilimi ve 140 minimum DC akım kazancı (500mA, 5V'de) ile güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarına uygun bir seçenektir. Cihazın üretimi sonlandırılmış olup, depo stoğundan tedarik edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V