Görsel mevcut değil
2SB1215S-E
2SB1215S-E Hakkında
2SB1215S-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 130MHz transition frequency'ye sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 500mA ve 5V koşullarında minimum 140'tır. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile otomotiv, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 500mV saturation voltajı (150mA base akımı, 1.5A collector akımında) düşük kayıp işlemler için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V