Görsel mevcut değil
2SB1204T-TL-E
2SB1204T-TL-E Hakkında
2SB1204T-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, güç uygulamalarında kullanılan bir tekil transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç seviyesindeki anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde çalışır. 130MHz transition frequency ile nispeten yüksek frekans uygulamalarına uygunluk sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 500mV VCE(sat) değeri ile düşük doyum voltajı sağlayan bu transistör, verimli güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. Sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V