Görsel mevcut değil
2SB1204T-E
2SB1204T-E Hakkında
2SB1204T-E, onsemi tarafından üretilen TO-251-3 paketli PNP bipolar junction transistördür. 50V kolektör-emitter gerilimi ve 8A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 1W maksimum güç dağıtımı, 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 130MHz transition frequency özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara dayanıklıdır. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V