Görsel mevcut değil
2SB1203T-TL-E
2SB1203T-TL-E Hakkında
2SB1203T-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V kollektör-emitör gerilimi ve 5A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 130MHz geçiş frekansı ve 200 (@500mA, 2V) minimum DC akım kazancı sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç kaynakları ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 1W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V