Görsel mevcut değil
2SB1203T-H-TL-E
2SB1203T-H-TL-E Hakkında
2SB1203T-H-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 5A maksimum kolektor akımında çalışabilir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 130MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 1W maksimum güç disipasyonu ve 200 minimum hFE değeri ile düşük sinyallerin güçlendirilmesi, anahtarlama devreleri, güç kontrolü ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Cihazın maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V