Görsel mevcut değil
2SB1203T-H
2SB1203T-H Hakkında
2SB1203T-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 5A maksimum kollektör akımı ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 200 minimum DC akım taşıyıcı kazancı (hFE) ile güvenilir devre tasarımı sağlar. 130MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama devrelerinde, ses amplifikatörleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılabilir. 1W maksimum güç derecelemesi ile uygun ısı yönetimi koşullarında çalışabilir. Cihaz Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V