Görsel mevcut değil
2SB1203T-E
2SB1203T-E Hakkında
2SB1203T-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paket tipinde gelen bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 5A collector akımında çalışabilir. 1W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bileşen, 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 130MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 550mV maksimum doyum gerilimi, düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygun hale getirmektedir. Endüstriyel kontrol, ses amplifikatörleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı PNP anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V