Görsel mevcut değil
2SB1203S-TL-H
2SB1203S-TL-H Hakkında
2SB1203S-TL-H, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V darbeye dayanıklı collector-emitter gerilimi ile maksimum 5A collector akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 DPak paket formatında sunulan bu transistör, 130MHz geçiş frekansı ve 550mV doyum gerilimi özellikleriyle güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç yönetimiyle dc/dc dönüştürücü kontrolü, motor sürücü devreleri ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda yer bulur. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda alternatif parçalar incelenmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V