Görsel mevcut değil
2SB1203S-H-TL-E
2SB1203S-H-TL-E Hakkında
2SB1203S-H-TL-E, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 5A kollektör akımı ile çalışabilmektedir. 130MHz transition frequency özellikleri ile orta hız uygulamalarına uygundur. 1W maksimum güç yayınlama kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile tasarlanmıştır. 140 minimum DC Current Gain değeri ile sabit akım güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 550mV Vce saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V