Görsel mevcut değil
2SB1203S-E
2SB1203S-E Hakkında
2SB1203S-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal ve orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile çalışır. 1W güç dağıtma kapasitesine sahip olan bu transistör, voltage amplification, switching ve logic circuit uygulamalarında yer alır. 140 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. 130MHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarına uygun olup, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. TO-251-3 (IPak) paket ile Through Hole montajı destekler. Ses amplifikatörleri, aydınlatma kontrolü ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V