Görsel mevcut değil
2SB1202S-TL-E
2SB1202S-TL-E Hakkında
2SB1202S-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 50V kolektör-emitter durdurma voltajı, 3A maksimum kolektör akımı ve 1W maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama devrelerinde, ses amplifikatörlerinde ve düşük frekans uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency ile hızlı komutasyon gerektiren düşük güçlü uygulamalara uygundur. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulur ve endüstriyel ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V