Görsel mevcut değil
2SB1202S-E
2SB1202S-E Hakkında
2SB1202S-E, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 3A kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ve 140 (minimum) DC akım kazancı ile, anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devreleri için uygundur. 1W maksimum güç tüketimi ve 700mV (saturation) gerilimi ile belirtilen özellikleri, endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve bilgisayar periferal uygulamalarında tercih edilmektedir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V