Görsel mevcut değil
2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E Hakkında
2SB1201T-TL-E, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V kolektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 800mW güç tüketim kapasitesine sahip olan bu bileşen, 150MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. Minimum 200 hFE DC akım kazancı (100mA, 2V'de) ile güç yönetimi, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı elektronik tasarımlarında tercih edilir. Vce saturation değeri 700mV (50mA, 1A'de) olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V