Görsel mevcut değil
2SB1201S-E
2SB1201S-E Hakkında
2SB1201S-E, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP BJT transistördür. 50V kollektör-emitter voltajı ve 2A maksimum kollektör akımı ile tasarlanan bu komponent, 150MHz transition frequency'ye sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, 140 minimum DC current gain (hFE) değerine ve 800mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Saturation voltajı 700mV'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç amplifikasyon devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. İşletme sıcaklığı -40°C ile +150°C arasında değişebilir. Yüksek akım gereken anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için uygun bir orta güç transistörüdür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V