Görsel mevcut değil
2SB1122T-TD-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 1A PCP
2SB1122T-TD-E Hakkında
2SB1122T-TD-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter gerilimi, 1A maksimum collector akımı ve 500mW güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, düşük sinyalli RF uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama görevlerinde tercih edilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, ses amplifikatörleri ve dc-dc dönüştürücü devrelerinde yer bulur. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Dipnot: Üretim durumu Obsolete olmasına rağmen, bazı uygulamalarda uyumlu alternatiflerle değiştirilmesi gerekebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V