Görsel mevcut değil
2SB1122S-TD-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 1A PCP
2SB1122S-TD-E Hakkında
2SB1122S-TD-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V kollektör-emitör gerilimi ve 1A maksimum kollektör akımı ile çalışır. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, 500mW güç tüketimi ve 150MHz transition frequency özellikleriyle sahiptir. 100 @ 100mA, 2V şartlarında 100 minimum DC current gain (hFE) değerine karşılık gelmektedir. Vce saturasyon gerilimi 50mA kolektör akımında 500mV olarak belirlenmiştir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında kullanılabilen bu bileşen, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle tüketici elektronikleri ve endüstriyel cihazlarda tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V