Görsel mevcut değil
2SA2126-TL-H
2SA2126-TL-H Hakkında
2SA2126-TL-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW güç kapasitesi, 390MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle düşük frekans anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 150°C junction temperature'da çalışabilir. Kolektör cutoff akımı 1µA düzeyindedir. Saturasyon gerilimi 520mV'tur. Günümüzde kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
390MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
520mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V