Görsel mevcut değil
2SA2126-E
2SA2126-E Hakkında
2SA2126-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V kollektör-emitör aralığında 3A'e kadar akım işleyebilir. 390MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain (hFE) özelliğine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 800mW güç tüketiminde çalışır ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler. 520mV saturation voltajı ile düşük güç kayıplarında sıvı kristal ekranlar, ses amplifikatörleri, güç anahtarlaması ve genel sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Ürün güncel üretimde bulunmamakta olup, depo stokları mevcuttur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
390MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
520mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V