Görsel mevcut değil
2SA2013-TD-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 4A PCP
2SA2013-TD-E Hakkında
2SA2013-TD-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 4A collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3.5W güç yönetimi, 400MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain özellikleriyle sağlanır. TO-243AA paket tipi ile yüzey montajı için tasarlanmıştır. Audio amplifikatörleri, switching devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C (junction) arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
3.5 W
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
340mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V