Görsel mevcut değil
2SA1552S-H
2SA1552S-H Hakkında
2SA1552S-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 160V collector-emitter gerilimi ve 1.5A collector akımı kapasitesine sahiptir. 120MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olan bileşen, 1W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. 140 minimum DC current gain (hFE) değeri güvenilir amplifikasyon sağlar. Through-hole montajına sahip olması geleneksel PCB tasarımlarında kolaylık sunmaktadır. Endüstriyel elektronik, ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında işletme yapabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V