Görsel mevcut değil
2SA1179N6-TB-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.15A CP
2SA1179N6-TB-E Hakkında
2SA1179N6-TB-E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi BJT transistördür. Maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ve 150mA kolektör akımı ile çalışabilen bu komponent, düşük sinyallerin yönetildiği uygulamalarda kullanılır. 180MHz transition frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama işlemlerinde ve sinyal amplifikasyonunda uygulanır. 135 minimum DC akım kazancı (hFE) ile belirli başlangıç koşullarında güvenilir performans sunar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulan komponent, ses cihazları, enerji yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmiştir. Maksimum 200mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı özelliğine sahiptir. Üretim durumu itibariyle obsolete olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
3-CP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V