Görsel mevcut değil
2N6517RLRA
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
2N6517RLRA Hakkında
2N6517RLRA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector-emitter gerilimi 350V olup, maksimum collector akımı 500mA'dir. 625mW güç kapasitesi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 200MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 50mA ve 10V koşullarında minimum 20'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu transistör, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve amplifikatör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Through-hole montaj özelliği klasik PCB tasarımlarına uyum sağlar. Parça şu anda obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V