Görsel mevcut değil
2N6517G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 0.5A TO92
2N6517G Hakkında
2N6517G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 paket tipinde sunulmaktadır. 350V maksimum Vce(BR)CEO (collector-emitter breakdown voltage) ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 200MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda da çalışabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Through hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Elektrik tesisatı, enerji yönetimi ve indüktif yük kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. Part status obsolete olmasına rağmen, benzer özelliklerdeki modern alternatifler mevcuttur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V