2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2N5961_D27Z Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2N5961_D27Z

Üretici
onsemi
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 60V 0.1A TO-92

2N5961_D27Z Hakkında

2N5961_D27Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-92 kasa türünde paketlenmiş bu transistör, maksimum 60V Vce dağılma gerilimi ve 100mA kolektör akımına kadar çalışabilir. 625mW güç dağılım kapasitesi ile düşük güçlü devrelerde uygun bir seçim sunar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, kontrol uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilmiştir. Küçük ve kompakt tasarımı ile breadboard ve prototip uygulamalarına uygundur.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 10mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V