Görsel mevcut değil
2N5830_D26Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
2N5830_D26Z Hakkında
2N5830_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 200mA collector akımı ile çalışabilmektedir. 625mW güç sınırlaması ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle sahiptir. Vce doyum gerilimi maksimum 250mV olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Eski ürün statüsünde olmasına rağmen, düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve küçük güç seviyesi kontrol devrelerinde kullanılabilir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V