Görsel mevcut değil
2N5657G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 500MA TO225AA
2N5657G Hakkında
2N5657G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 350V breakdown voltajı ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. 500mA maksimum kolektör akımı ve 20W güç sınırlandırması ile orta düzey güç gereksinimleri karşılayan devrelerde tercih edilir. TO-225AA paketinde gelen bu transistör through-hole montajı destekler ve -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Hobi projeleri, endüstriyel kontrol sistemleri ve eski cihaz tasarımlarında kullanım görmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
10V @ 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V