Görsel mevcut değil
2N5551ZL1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551ZL1 Hakkında
2N5551ZL1, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Bipolar Junction Transistör (BJT) olup Through Hole montajı için TO-92 paketinde sunulmaktadır. 160V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz geçiş frekansı, 625mW güç dağıtımı kapasitesi ve 80 minimum DC akım kazancı ile gerilim amplifikasyon devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve ses frekansı sinyal işlemesinde kullanılabilir. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş sıcaklık koşullarına uygun olup, geleneksel transistör tabanlı elektronik tasarımlarında yer alabilir. Bileşen Obsolete (üretim dışı) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V