Görsel mevcut değil
2N5551YTA
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551YTA Hakkında
2N5551YTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç tüketim kapasitesine sahip olan bileşen, 100MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. DC akım kazancı (hFE) 180 minimum değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen 2N5551YTA, dar ve orta seviye güç uygulamalarında, sinyal amplifikasyonunda, switching devrelerinde ve genel amaçlı analog tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V