Görsel mevcut değil
2N5551TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2N5551 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
2N5551TF Hakkında
2N5551TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi small signal bipolar transistördür (BJT). TO-92-3 DIP paketinde sunulan bu transistör, düşük seviyeli sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 600 mA kollektör akımı, 160V kırılma gerilimi ve 100 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir operasyon sağlar. Audio amplifikatörler, sinyal ön işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devreler tasarımında tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V