Görsel mevcut değil
2N5551RLRP
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551RLRP Hakkında
2N5551RLRP, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlü (BJT) tekil komponenttir. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V kollektör-emitter bozulma gerilimi ve maksimum 600mA kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ve 80 minimum DC current gain özellikleriyle, anahtarlama devrelerinde, küçük sinyal amplifikasyonunda ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 625mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygundur. Onsemi'nin legacy ürün portföyünde yer alsa da, benzer karakteristiğe sahip modern alternatiflerle değiştirilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V