Görsel mevcut değil
2N5551RLRA
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A TO92
2N5551RLRA Hakkında
2N5551RLRA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 160V kollektor-emiter gerilimi ve 600mA maksimum kollektor akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç dağıtımı ve 300MHz geçiş frekansı ile ses frekansı ve düşük frekans RF devrelerinde uygun performans sunar. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) 10mA kollektor akımında ve 5V Vce'de sağlanır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Anahtarlama, amplifikasyon ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V