Görsel mevcut değil
2N5551RL1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551RL1G Hakkında
2N5551RL1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 160V Vce(br) ile yüksek voltaj işletme koşullarına dayanabilir. 600mA maksimum kollektör akımı ve 625mW güç sınırlaması ile orta güç uygulamalarına uygundur. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarında kullanılabilir. TO-92 Through Hole paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, DC motor kontrolü, güç kaynakları ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Part status obsolete olduğundan yerini alan aktif alternatifler tercih edilmelidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V