Görsel mevcut değil
2N5551G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
2N5551G Hakkında
2N5551G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar bağlaç transistörüdür. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum Vce (Collector-Emitter) voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 300MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 80 (minimum, 10mA Ic ve 5V Vce koşullarında) olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Saturation voltajı 200mV'dir (5mA Ib, 50mA Ic). Genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilen klasik bir transistör tasarımıdır. Söküm teknolojisine dayanan Through Hole montaj türü ile kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V