Görsel mevcut değil
2N5551,412
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.3A TO-92
2N5551,412 Hakkında
2N5551, NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-92 paket türünde sunulan bu bileşen, maksimum 160V kolektör-emitter gerilimi ve 300mA kolektör akımına dayanıklıdır. 300MHz geçiş frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 630mW güç yayma kapasitesi ile amplifikasyon, switching ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 80 değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Düşük gürültü ve güvenilir performans nedeniyle endüstriyel elektronik, tüketici cihazları ve telekomünikasyon devreleri tasarımında tercih edilir. Transistor kolektör-emitter doyma gerilimi 200mV olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
630 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V