Görsel mevcut değil
2N5401ZL1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
2N5401ZL1 Hakkında
2N5401ZL1, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde gelen bu transistör, maksimum 150V Vce breakdown voltajı ve 600mA kolektör akımı ile çalışmaktadır. 625mW güç seviyesinde tasarlanmıştır. Minimum 60'lık DC current gain (hFE) değeri ile 10mA kolektör akımında ve 5V Vce'de çalışır. 300MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalara uygun bir tasarımdır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, ses frekansı amplifikatörleri, düşük frekanslı sinyal işleme uygulamaları ve uzun süreli depolama gerektiren sistemlerde kullanılabilir. Through-hole montajı sağlayan uzun gövdeli formed leads yapısına sahiptir. Maksimum 50nA ICBO cutoff akımı ile düşük kaçak akıma sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V