Görsel mevcut değil
2N5401
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 600MA TO92-3
2N5401 Hakkında
2N5401, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 kapsülünde paketlenmiş bu komponent, 150V collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW güç dağıtım kapasitesi ile düşük sinyale cevap veren kuvvetlendirme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve darbe biçimleyici devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 300MHz transition frequency ile orta hızlı komutasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 10mA collector akımında minimum 60 değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V