Görsel mevcut değil
2N5401RLRAG
2N5401RLRAG Hakkında
2N5401RLRAG, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, 150V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile karakterize edilir. TO-92 paket içerisinde sunulan bu komponent, 625mW güç dağıtımı kapasitesine ve 300MHz transition frequency değerine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 60 @ 10mA, 5V koşullarında belirtilmiştir. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Bu transistör, anahtarlama devrelerinde, sesli frekans amplifikasyonunda ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. Kolektör cutoff akımı 50nA maksimum değer ile belirtilmiş olup, Vce saturation 500mV @ 5mA, 50mA koşullarında ölçülmüştür. Parça güncel olarak Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V