Görsel mevcut değil
2N5401,116
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 0.3A TO-92
2N5401,116 Hakkında
2N5401, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöründür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 150V maksimum Vce breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile çalışır. 630mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 60'tır (10mA, 5V koşullarında). Transition frequency 300MHz olup, geniş bant uygulamalarında kullanılabilir. 50nA maksimum ICBO (collector cutoff akımı) ile düşük sızıntı akımı gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Ses amplifikatörleri, inverter devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı PNP transistör gerektiren devrelerde kullanılan klasik bir bileşendir. Dikkat: Parça Obsolete (Sonlandırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
630 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V