Görsel mevcut değil
2N5401_D81Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 0.6A TO-92
2N5401_D81Z Hakkında
2N5401, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 150V collector-emitter breakdawn voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç dağıtım kapasitesi, 400MHz transition frequency ve 60 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile tasarlanmıştır. Vce saturation voltajı 5mA base akımında 50mA collector akımında 500mV'dur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, ses amplifikatörleri, düşük sinyal işleme devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj özelliğine sahip olup, klasik elektronik tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V