Görsel mevcut değil
2N4400TAR
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
2N4400TAR Hakkında
2N4400TAR, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistöre (BJT) örneğidir. TO-92 Through Hole paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışır. 625mW maksimum güç sınırlaması ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklık aralığında güvenli çalışma sağlar. Minimum 50 hFE DC akım kazancı özellikleri ile haberleşme, ses ve sensorik uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu komponent obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 150mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V