Görsel mevcut değil
2N3859A_D75Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 0.5A TO-92
2N3859A_D75Z Hakkında
2N3859A_D75Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 paketlemesinde sunulmaktadır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 250MHz geçiş frekansı ve minimum 100 hFE DC akım kazancı ile orta hızlı anahtarlama operasyonlarında tercih edilir. 625mW maksimum güç tüketimi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük-orta güçlü aplikasyonlarda yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kapasitesi, endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığına sahip ortamlar için uygunluğunu göstermektedir. Parça obsolete (kullanım dışı) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V