Görsel mevcut değil
2N3501UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
2N3501UB/TR Hakkında
2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-SMD No Lead paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve düşük güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300mA maksimum kolektör akımı, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı sinyal işleme, lojik seviyelendirme ve anahtarlama devrelerinde yer alır. -65°C ile 200°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 100 minimum DC akım kazancı ile güvenilir performans sağlar. 400mV maksimum Vce doyma voltajı doyma işleminde hızlı geçişi kolaylaştırır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V