Görsel mevcut değil
2N3439U4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
2N3439U4 Hakkında
2N3439U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A kolektör akımı, 350V CE breakdown voltajı ve 800mW güç disipasyon kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. SMD 3-pinli U4 paketinde sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) istikrarlı performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon işlemlerinde yaygın olarak kullanılır. VCE(sat) maksimum 500mV ile düşük saturasyon voltajı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V