2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2N3416_D27Z Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2N3416_D27Z

Üretici
onsemi
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 50V 0.5A TO-92

2N3416_D27Z Hakkında

2N3416_D27Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paket içinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 625mW güç disipasyonu ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 75 değerinde belirtilmiştir. Düşük frekans sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı BJT işlevleri gerektiren devreler için uygun bir komponenttir. Kolayca lehimlenen Through Hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kullanım için uygundur.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 4.5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V