Görsel mevcut değil
2N2222AE3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL-SIGNAL BJT
2N2222AE3 Hakkında
2N2222AE3, Microchip Technology tarafından üretilen small-signal NPN bipolar junction transistördür. TO-18 metal can paketi ile sunulan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 800 mA kolektör akımı ve 500 mW güç kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE), gürültü figürü düşük preamplifier ve RF devrelerinde tercih edilmesini sağlar. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V