Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
2N2222A
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 800MA TO18
2N2222A Hakkında
2N2222A, NTE Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 500mW maksimum güç derecelemesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-18 metal kutu paketine sahip olup through-hole montajı destekler. Minimum 100 hFE DC akım kazancı ile güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V